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本 基礎からの半導体デバイス

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本-基礎からの半導体デバイス
著者: 和保孝夫 (ほか著)
定価 ¥2,376(税込)
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出版社名 日新出版
シリーズ名 実用理工学入門講座
発行年月 2008年 04月
ISBNコード 9784817302328
版型 --
ページ数 172P
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和保孝夫 OFF

目次

第1章 序論/第2章 半導体の電気的特性とpn接合/第3章 電界効果型トランジスタ/第4章 CMOSインバータ/第5章 CMOS論理回路/第6章 LSIの設計/第7章 pn接合:バイポーラトランジスタの理解のために/第8章 バイポーラトランジスタ

著者情報

和保 孝夫
1975(昭和50)年早稲田大学大学院理工学研究科(物理学および応用物理学専攻修士課程)修了。同年、日本電信電話公社(現在のNTT)入社。武蔵野電気通信研究所勤務。1988(昭和63)年NTT LSI研究所主幹研究員。1999(平成11)年上智大学理工学部教授となり、現在に至る。理学博士。専門は電子デバイス、集積回路

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