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本 半導体デバイスシリーズ 3

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本-半導体デバイスシリーズ 3
著者: 權田俊一 (編集)
谷口研二 (編集)
定価 ¥6,156(税込)
BOOKFANポイント: 285 pt
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出版社名 丸善
発行年月 2010年 09月
ISBNコード 9784621082843
版型 --
ページ数 295P
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内容紹介

変革期を迎えるVLSI技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ第3巻。
各種プロセス技術を組み合わせて性能向上を図るプロセスインテグレーションについて、個々のプロセスの基本原理を俯瞰し、それらを総合的に理解した上で、最適な組み合わせを見出すきっかけを与える。

※本データはこの商品が発売された時点の情報です。

目次

1 MOS型集積回路プロセスの概要(CMOS集積回路/MOS型集積回路の要素技術)/2 LSI製造プロセス技術の基礎(準平衡プロセス/非平衡プロセス ほか)/3 フロントエンド技術(CMOSの基礎/ゲートスタック形成技術 ほか)/4 バックエンド技術(多層配線の設計/多層配線材料と多層配線プロセス ほか)/付録A 故障時間データ分布(対数正規分布/ワイブル分布)

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